 FA/O抛光液使用说明书 |
一、使用范围：
FA/O系列抛光液是由河北工业大学微电子研究所研制并生产的，属于电子化工领域，用于硅分立器件与集成电路，尤其是MOS，CCD，I2L等浅结器件，ULSI高集成度，高性能器件衬底高质量抛光的抛光剂。
二、特点：
FA/O抛光液是用于半导体材料晶片抛光的新一代水溶性高纯胶体抛光液，该产品获国家发明奖、国家级新产品、国家重点推广计划高科技新产品。它具有表面光洁度高、金属杂质沾污少、易清洗、抛光速率高、损伤层小、平整度高等特点，适用于硅、锗、石英、二氧化硅、蓝宝石等材料的抛光，也可用于不锈钢与电子玻璃等的高质抛光，在抛光中根据需要可以优化不同配比，均能达到最佳效果。该产品质量稳定、使用方便，不需用酸、碱调PH值，直接加去离子水即可使用。该产品与美国NALCO，日本GLANZOX系列相比，是浓缩度高，粒度小，对有机物、金属离子及颗粒极易清洗，速率快（1.5-2μm/min）的新型抛光液。90年获国家发明奖，95年获国家级新产品，99年获国家重点推广计划，2000年获国家中小企业创业基金。
三、使用方法
（1）PH 应在7.5~10.5时使用。
（2）存放时应闭光，否则溶液变黑，使用时还得调PH值。
（3）运输与存放温度为5~50°C。
（4）避免进入强电解质。
（5）保质期不超过一年，建议半年内使用。
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| FA/O半导体材料切削液说明书 |
FA/O切削液是河北工业大学微电子技术与材料研究所新研制的换代产品。
一、产品特性
该化学试剂是主要用于半导体硅、锗、砷化镓等单晶棒切割的专用试剂，也可用于金属和非金属材料切削以水剂代油剂的专用试剂；它具有高效、高浓度，能有效地降低表面张力、减少摩擦力，有效降低晶片损伤、减少微裂与应力，增加切削速度，无刀根破坏，及优秀的润滑、渗透、防锈、冷却功能、延长刀具寿命和改善环境条件等特点。有关单位应用表明，该切削液可使刀具寿命提高20%，速率提高20~40%，尤其适于作为倒角液，使倒角处光滑细腻，更有利于应力释放，使倒角获得极好效果。
二、产品参数
pH值：10~11；
比重：1.02~1.1；
颜色：微黄；
渗透力：50
三、使用方法
将母液2~5Kg加入1000Kg去离子水，搅拌均匀即可使用。
四、产品保存
保存环境：中性；
保存温度：1~30°C；
有效时间：一年
五、产品包装 10Kg/桶，每箱两桶。
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| FA/O硅单晶磨片清洗液说明书 |
FA/O硅单晶磨片清洗液是河北工业大学微电子技术与材料研究所所长刘玉岭教授新研制的换代产品。
一、产品特性
该清洗液用于单晶硅切片、磨片清洗，代替氟里昂、三氯乙烷等ODS物质，可有效地清洗硅单晶片上的硅粉及其它吸附在硅单晶片上的有机和无机杂质。该清洗剂不含钠、钾离子，对硅单晶无损坏、无沾污。该清洗液具有高效（提高效率一倍以上，并含有99年获国家发明奖的对几十种金属离子有螯合作用、无金属离子的螯合剂）、安全（闪点在300°C以上）、寿命长、浓缩度高等特点，经有关单位使用表明，该产品与技术有效地去除了长期难以解决的硅单晶片上的硅粉及其它吸附在硅单晶片上的有机和无机的杂质，其中的高效无金属离子螯合剂可对几十种金属离子起到很强的螯合作用，防止了碱、重金属离子对衬底的沾污，获得了极佳的效果，使硅片研磨后清洗工艺变得简单高效，易操作，减少了副作用，适合生产线上规模应用。这些使用单位认为：该清洗液的推广应用，将为硅材料和微电子行业带来极好的社会效益和经济效益。
二、产品参数
pH 值：10~11；
比重：1.02~1.1；
颜色：微黄；
渗透力：50
三、使用方法
1.将磨好的硅片装入篮内，用大量水喷冲，除去磨料。
2.放入有流动水的超声池内，超声冲洗15~20分钟至水清。
3.用2% 活性剂浸泡20分钟以上。
4.放入6~10% 清洗剂中超声两次（55°C），再用水超声清洗2~3次，甩干即可达到用酒精棉擦拭，洁白无物的质量。
四、产品保存
保存环境：中性；
保存温度：1~30°C；
有效时间：一年
五、产品包装 20Kg/箱，每箱两桶
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| FA/O液晶显示器（LCD）屏清洗剂 |
FA/O 液晶显示器（LCD）屏清洗剂是河北工业大学微电子技术与材料研究所新研制的换代产品。
一、产品特性
该清洗剂用于液晶屏清洗，代替氟里昂、三氯乙烷等ODS清洗剂，可有效地清洗液晶屏上的液晶及其它附着在液晶屏上的有机和无机杂质。该清洗剂无金属离子污染，对透明电极和密封胶无损坏，且该清洗剂含有1999年获国家发明奖的能对几十种金属离子有效清除的螯合剂。该产品高效、安全、寿命长、浓缩度高。
二、产品参数
pH 值：10.5~12.5；
比重：1.00 ~1.15；
颜色：无色~微黄；
渗透力：50
三、使用方法
a. 将母液中加入5倍去离子水；
b. 使用温度50~55°C，在超声条件下先用Ⅰ型LCD屏清洗剂清洗7~10分钟，再用Ⅱ型LCD屏清洗剂清洗7~10分钟；
c. 用去离子水超声漂洗2~3次；
d. 最后将其烘干即可。
四、产品保存
保存环境：中性；
保存温度：1~30°C；
有效时间：一年
五、产品包装 10Kg/桶（白塑料桶），每箱两桶（纸板箱）。
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| FA/O高纯多功能非离子界面活性剂 |
FA/O
高纯多功能非离子界面活性剂是河北工业大学微电子技术与材料研究所新研制的高科技产品，荣获1999年度国家发明奖。
一、产品用途
该产品主要用于半导体材料切、磨、抛等加工。在半导体器件制作过程中起润湿、分散、解吸、助溶、清洗、均蚀等作用。除代替日本NCW601和美国X100等活性剂用途外，还可用于有效去除镜面吸附微粒与各种金属离子。
二、产品原理
它有效地将新生的半导体表面由高能降为低能，由难以处理的化学吸附转化为以易去除的物理吸附为主，实现了把有害吸附转化为无害吸附。
实验表明新生的半导体晶片表面在水溶液中带负电荷，通常吸附对微电子器件极有害的一原子、分子层金属离子和各种尘粒，且呈现键合的牢固状态。而采用FA/O无离子界面活性剂，其新生的半导体镜面将活性剂的无离子亲水基以物理吸附方式吸附，有效地降低了表面能量，实现低能状态，且物理吸附极易清洗掉，FA/O无离子界面活性剂中含有高效无金属离子螯合剂对各种金属离子有很强的螯合作用，且酸碱溶液均有效，防止了碱、重金属离子对衬底沾污而影响电器件的特性，便于制备高纯的半导体器件衬底镜面。
三、产品特点
与日本NCW601、美国X100界面活性剂相比，对各种离子均有很强的螯合作用，粘度低、高效、低廉、无毒、PH低无腐蚀。
四、产品主要规格
状态 无色~浅黄色涂液体
比重 1.010~1.012
粘度 1.03~1.05CP
PH 6~7
发泡 600mm
稳定性 500mm（5分钟后）
Na <1ppm
五、产品使用方法
根据用途不同，加入所用溶液体积的1%~2.5%，搅匀，可用于酸性溶液，也可用于碱性溶液。
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| FA/O电子玻璃清洗液使用说明 |
一、使用范围：
该清洗液适用于微电子光刻制版玻璃、液晶导电玻璃、计算机硬盘玻璃、微机与电视机显示器屏玻璃、蓝宝石、白宝石、光学玻璃等的清洗
二、特点：
1、该清洗液浸润性好、表面张力低、去除效率高、效果好。
2、它可有效去除表面各种吸附物:粒子、无机盐和有机物及各种碱玻璃渗出物等。
3、该清洗液为酸性，缓冲性强，可长期循环使用。
三、使用方法
1、首先用1~2‰表面活性剂（河北工业大学生产）溶液进行清洗，形成亲液表面。
2、将清洗液放入塑料槽内，并起动超声机。
3、将欲洗物件用塑料卡具卡好，放入槽内。
4、超声清洗5~10分钟。
5、放入超声水中再清洗三次，每次1~2分钟。
6、将物件吹干。
四、包装： 10kg/桶
五、注意事项
1、该清洗液为酸性清洗剂，应放入塑料器具内存放，不得放入玻璃、金属、陶瓷器
具内。
2、操作人员操作时必须戴手套，防止溅到暴露的皮肤上。如不慎溅到皮肤,用大量水冲洗。
3、使用温度常温即可，随温度的升高处理时间可相应减少。
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| FA/O型ULSI多层铜布线抛光液说明 |
该抛光液是河北工业大学微电子技术与材料研究所研制的新产品。
一、抛光液特性
该抛光液具有无金属离子沾污、高速率、高选择性（40 ：1）、小粒径（15~20nm）、低损伤、高洁净度等特点，在理论与工程技术上取得了创造性突破。现在，铜CMP已成为ULSI制备中倍受世界各国关注的核心技术之一，世界各国都在加紧对其进行封闭研究，以期优先占领国际市场。目前，在铜CMP抛光液方面处于国际先进地位的美国、日本公司采用的磨料均为Al2O3，该类磨料硬度高、分散度大、黏度大、难清洗、易引起表面划伤且损伤层深，且Al3+还会对芯片造成污染。而该产品采用粒径15-20nm、高纯水溶性、无金属离子纳米材料代替了Al2O3作为磨料使用，不但可以解决Al3+污染问题，还可以解决由于磨料硬度、分散度和黏度造成的抛光镜面表面缺陷和难清洗问题。该产品已在中科院微电子中心获得了很好的应用。经专家鉴定确认，该产品达到国际领先水平，是对国际上微电子第三代布线化学机械全局平面化（CMP）创造性的贡献。
二、使用方法
a)按体积比加一倍去离子水；
b)加专用试剂HP，50ml/ Kg;
c)抛光结束后，用1%活性剂水抛20秒。
三、注意事项
a) 避光保存；
b) 保存温度5~45℃；
c) 使用条件为100级以下。
四、包装：25Kg/箱 200Kg/桶
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