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公司最近推出具有国内领先技术的系列产品：
新型蓝宝石CMP抛光液：
蓝宝石晶体（α-Al2O3）是一种耐高温、耐磨损、抗腐蚀和透光波段宽的优质光功能材料，是目前使用最为普遍的衬底材料。在蓝宝石CMP过程中，由于蓝宝石晶片硬度达到莫氏9级,并且蓝宝石是单晶三氧化二铝（Al2O3)组成物质的元素化合价已经达到最高。由河北工业大学刘玉岭教授多年研究的SiO2水溶胶抛光液，抛光速率达到16μm/h，粗糙度达到1Å以下。实验多年，工艺纯熟。
超大规模集成电路多层布线抛光液：
在ULSI多层布线CMP中，抛光后的表面粗糙度过高，会造成噪声增加、电特性一致性差、会影响器件频率特性如增加RC延迟时间等，从而影响集成度、可靠性、优品率及降低成本.
本发明了解决了现有铜布线化学机械抛光过程中存在的表面粗糙度高的问题，而提供一种化学作用强、粗糙度低、无划伤，且成本低的ULSI多层铜布线化学机械抛光液。由河北工业大学刘玉岭教授多年研究的SiO2水溶胶抛光液，抛光速率达到16μm/h，粗糙度达到1Å以下。实验多年，工艺纯熟。
陶瓷加工技术及抛光液：
主要适用于各类陶瓷片抛光加工等，产品性能稳定、优越；对设备有钝化作用，不腐蚀；速率快，主要技术参数达到并超过国外同类产品，而且价格优惠，是同类国外产品的最佳替代者。该系列抛光液，配套我公司的抛光技术，必将提高用户产品的各项性能指标，并大大降低成本，提高产品的稳定性。
微晶玻璃抛光液：
本产品涉及化学机械抛光技术领域，更具体地说，是涉及一种用于光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明克服了现有微晶玻璃用CMP（化学机械抛光）抛光液在抛光工艺中存在的表面划伤、塌边和清洗的技术问题，而提供一种化学作用强，易于清洗，有效解决划伤问题，抛光速率高，流动性好，无沉淀产生的用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液。
水晶玻璃抛光液：
主要适用于水晶抛光，产品性能稳定、优越；本发明克服了现有水晶玻璃用CMP（化学机械抛光）抛光液在抛光工艺中存在的表面划伤、塌边和清洗的技术问题，提供了一种化学作用强，易于清洗，有效解决划伤问题，抛光速率高，流动性好，无沉淀产生的用于水晶玻璃研磨抛光的抛光液。
光学玻璃抛光液：
主要适用于光学玻璃的抛光，产品性能稳定、优越；本发明克服了现有光学玻璃用CMP（化学机械抛光）抛光液在抛光工艺中存在的表面划伤、塌边和清洗的技术问题，提供了一种化学作用强，易于清洗，有效解决划伤问题，抛光速率高，流动性好，无沉淀产生的用于光学玻璃研磨抛光的抛光液。
新型纳米磨料系列抛光液：
主要适用于硬盘抛光、电子玻璃抛光、金属镁、铝,半导体InSb,蓝宝石抛光等，产品性能稳定、优越；对设备有钝化作用，不腐蚀；速率快，主要技术参数达到并超过国外同类产品，而且价格优惠，是同类国外产品的最佳替代者。该系列抛光液，配套我公司的抛光技术，必将提高用户产品的各项性能指标，并大大降低成本，提高产品的稳定性。
低K介质CMP抛光液：
该浆料用特种有机碱作为pH调制剂，同时具有缓释剂及胺化剂的作用，适用于ULSI多层布线中低K介质CMP加工，可在低压力下产生较高的化学反应速率，平整度高，凹凸选择性好，可实现表面低粗糙、低损伤、无污染、无污染且有效控制金属杂质沾污。
膜电化学清洗剂及清洗方法：
本清洗剂为弱碱性水基清洗剂，能有效地清洗任何硬质表面的有机污染物，不含ODS物质，对人、畜基本无毒，安全环保。在此基础上，实验证明，通过半导体膜电极生成含有强氧化性的水溶液，与专用的化学清洗剂结合使用，在对微电子和光电子材料表面上的有机物，有明显的清除效果。本方法可实现零排放，符合经济、环保的要求，是一种能达到清洗指标的新型清洗技术。可以应用于有机物沾污的清洗.在太阳能电池制绒,电子去蜡,轻触器件清洗等领域取得了显著的效果。
FA/O系列螯合剂：
河北工业大学微电子所刘玉岭教授经过多年的研究，成功发明了FA/O系列螯合剂（包括Ⅰ型的盐类和Ⅱ型的胺类系列产品），Ⅱ型的是乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）,Ⅰ型的是乙二胺四乙酸羟乙基乙二胺盐等.具有十三个以上的螯合环，可与多种金属离子、氧化物生成溶于水的、极稳定的盐类或胺化物，阻止金属离子在表面富集（表面比浆料高2个数量级）和键合，金属离子降到ppt级。
纳米二氧化硅新型水溶胶材料，主要性能、特点及使用范围如下：
1、适用于微电子专用的纳米材料，其特点是PH值大于9.5，纯度高，K+、Na+、Fe+等离子含量在PPM级，浓度大于40%WT，粒径为10-20nm,40-60nm,80-100nm,100-120nm。粘度低，易清洗。尤其适用于ULSI多层金属布线介质（粒径为100-120nm）、铜布线、铝布线、钨插塞、阻挡层的专用膜料和相关碱性抛光液。
2、适用于催化剂载体的纳米材料，其特点是氯离子低于PPM级，浓度大于40%WT。
3、酸性硅溶胶纳米材料，其特点是存放时间长（三个月以上），浓度大于40%WT，PH值小于2，氯离子、金属离子（K+、Na+等）达到PPM级。
4、可按用户需要生产各种粒径（15-130nm）的硅溶胶纳米材料，其特点是酸性PH值小于2，碱性PH值大于9，纯度为PPM级的水溶胶型二氧化硅。
半导体器件超大规模集成电路FA/O系列产品主要包括：
半导体材料抛光液、高纯多功能非离子界面活性剂、系列电子清洗剂、铜抛光液、切削液、磨削液、倒角液。
一、FA/O无磨料、均腐蚀抛光液获国家发明奖三等奖，属于国家级新产品、国家重点推广计划新产品。该产品的抛光速率、浓缩度、稳定性、粒度等多项参数均达到或超过了目前国内外先进产品。
二、FA/O高纯无离子界面活性剂获天津市发明二等奖。该产品有Ⅰ型、Ⅱ型两种型号，螯合作用、表面张力、渗透力等参数均达到或超过了美国X100、日本NCW601等产品，99年获国家发明三等奖。
三、Si/Si键合新材料属于国家发明专利产品，专利是96108505-3。该产品的键合强度、孔洞等超过世界上通用的亲水法。
四、硅外延片是获国家发明奖三等奖的新产品。在厚度一致性、电阻率一致性、自掺杂，完美方面均达或超过了世界先进水平。
五、FA/O清洗液主要用于单晶硅切片，磨片及液晶屏的清洗的系列产品，代替氟里昂、三氯乙烷等ODS物质，可有效地清洗单晶硅片上的硅粉、液晶屏上的液晶以及其它吸附在它们上的有机和无机物质和各种粒子，该清洗剂不含钠、钾离子，对硅单晶及液晶屏的透明电极和密封胶无损坏、无沾染，该产品高效（提高效率一倍以上，并含有99年获国家发明奖的对几十种金属离子有螯合作用，无金属离子的螯合剂），安全（闪点在300°C以上））、寿命长、浓缩度高，属于环保绿色产品。
六、FA/O切削液是主要用于半导体硅、锗、砷化镓等单晶棒切割的专用试剂，也是金属和非金属等材料切削以水剂代油剂的专用试剂；具有高效、高浓度，能有效地降低表面张力、减少磨擦力，有效降低晶片损伤、减少微裂与应力，增加切削速度，并具有极好的润滑、渗透、防锈、冷却功能、增加刀具寿命和改善环境条件等特点，有色金属研究院应用表明该切削液可使刀具寿命提高40%，速率提高40%。
七、FA/O Cu 抛光液是专用于ULSI制备中铜布线化学机械抛光全局平面化（CMP）的抛光液，它是河北工业大学微电子技术与材料研究所新研制的高科技产品。
产品特点： 粒度小、无污染、纯度高、速率快、选择性好，采用99年河北工业大学获国家发明奖的无金属离子高效螯合剂，适用于ULSI多层Cu布线抛光，是无金属离子污染和NH3气污染的环保绿色产品。 |
